DDR5 几乎没有上架,但三星已经确认它已经在开发下一代 RAM。据报道,这家韩国科技巨头在其 2021 年技术日活动中深入了解了几种下一代内存标准,包括 DDR6、GDDR6+、GDDR7HBM3

三星 Samsung designs DDR6 and GDDR6 memory

三星表示,其 DDR6 标准的开发已经开始,并将得到 JEDEC 的协助,JEDEC 是一个由 300 多名成员组成的半导体工程组织,其中包括一些世界上最大的计算机公司。

该报告提到该标准的完成可能会在 2024 年实现,但考虑到 DDR5 刚刚推出(并且已经受到供应问题的影响),第 6 代 DDR 内存更有可能在 2025 年或 2026 年到货。

在 DDR6 内存的技术规格方面,数据传输速率将比其前身翻倍。因此,除了在超频模块上实现 17,000 Mbps 之外,它还能够在 JEDEC 模块上以大约 12,800 Mbps 的速度运行——这是 DDR4 的四倍。

至于每个模块的内存通道数量,DDR6 也将增加一倍,将 4 个 16 位通道连接到 64 个内存条。

GDDR(图形双倍数据速率)专门与显卡兼容,是 GPU 的组成部分。不要将它与涵盖系统内存的 DDR RAM 混淆。

在其他地方,三星计划在 GDDR7 不可避免的推出之前推出 GDDR6+ 标准。据报道,它将达到高达 24Gbps 的速度,因此允许未来的 256 位 GPU 具有高达 768GB/s 的带宽。此外,据说具有 320/352/384 位总线布局的 GPU 可实现超过 1TB/s 的带宽。

超越 GDDR6 的细化,GDDR7 有望达到高达 32Gbps 的传输速度。据说三星还将实时错误保护功能纳入标准。正如 Wccftech 指出的那样,GDDR7 内存将能够通过 384 位总线接口提供 1.5TB/s 的速度,通过 512 位系统提供高达 2TB/s 的速度。

GDDR7 标准何时最终确定尚无时间表,因此消费者必须同时接受 GDDR6+。

三星触及的另一个下一代内存标准是 HBM3。第三代高带宽内存将在 2022 年第二季度进入量产阶段。该公司提到 HBM3 的速度为 800Gbps,这将为未来需要如此高内存性能水平的 CPU 和 GPU 提供动力。三星还强调了该技术对人工智能应用的适用性。

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