三星的 DDR5-7200 的设计比之前的 DDR4 模块更密集,但新的堆栈只有 1.0 毫米,小于 DDR4 的 1.2 毫米。尺寸缩小是通过三星新的薄晶圆处理技术实现的,该技术将芯片之间的间隙减少了 40%,并导致高度显着降低。

三星是今年将发布 DDR5 RAM 的品牌之一——而且该制造商似乎拥有业界首创的产品。在一年一度的半导体披露活动 Hot Chips 33 期间,三星透露了其首款 DDR5 512GB RAM 模块的开发情况。据说这种新的内存模块DDR4 的性能提高了 40%,同时容量增加了一倍,电压更低。

Samsung DDR5 三星内存

新的大容量记忆棒的发布伴随着关于其架构的更深入的信息。DDR5-7200 将是一个 512GB 模块,由 8 个堆叠的 DDR5 芯片制成。据说这些管芯使用硅通孔 (TSV) 技术连接。升级到八个模具意义重大。它显示出比 DDR4 内存的显着改进,即使在可用的最佳 RAM 中,DDR4 内存也始终限制为四个芯片。

虽然三星的 DDR5-7200 的设计比之前的 DDR4 模块更密集,但新的堆栈只有 1.0 毫米,小于 DDR4 的 1.2 毫米。尺寸缩小是通过三星新的薄晶圆处理技术实现的,该技术将芯片之间的间隙减少了 40%,并导致高度显着降低。

除了更薄的设计,新模块还将在更低的电压下运行。据三星称,DDR5-7200 的运行电压为 1.1V,仅为 DDR4 RAM 中使用电压的 0.92 倍。通过使用高效电源管理集成电路 (PMIC) 和电压调节器,DDR5 变得更加高效。它还与高 k 金属栅极工艺相结合。三星表示,使用 PMIC 不仅降低了电压,还降低了噪音。

新的内存模块还将具有相同库刷新 (SBR) 功能。在 DRAM 总线被认为是多达 10%比其当前 DDR4 对应物更有效。三星还为其新 RAM 配备了新的决策反馈均衡器 (DFE),以提高信号的稳定性。最后,该模块将有一个片上纠错码 (ODECC),负责数据处理的安全性和可靠性。

尽管个人计算机中 512GB 内存的前景令人眼花缭乱(如果很大程度上超出了顶部),但三星的新模块并不是为普通台式机生产的。DDR5-7200 面向服务器和数据中心市场,但面向消费市场的 DDR5 内存也即将推出。

可以安全地假设消费者级内存最大为 64GB。然而,事实仍然是英特尔和 AMD 即将推出的主板和处理器将允许普通用户拥有以前闻所未闻的 RAM。如果所有预测都成真,一旦 DDR5 内存耗尽,主流用户将能够构建或购买具有 256GB RAM 的 PC。

三星预计,主流市场要到 2023 年甚至 2024 年才会转向 DDR5 RAM。不过,该制造商计划在今年年底开始量产 DDR5-7200 512GB RAM。一些制造商,例如 Corsair,将更快地发布其 DDR5 迭代版本。该品牌希望与英特尔新一代处理器 Alder Lake 一起发布 DDR5 内存,该处理器预计将于今年秋季上架。

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